Технология изготовления: молекулярно-пучковая эпитаксия на подложках GaAs и InP.
Область применения: различные устройства фотоники, включая лазеры с торцевым выводом излучения, вертикально-излучающие лазеры, p-i-n фотодиоды и др.
Диагностика параметров гетероструктур (анализ поверхностной плотности дефектов, карты фотолюминесценции).
Точная калибровка состава эпитаксиальных слоев, толщины и уровня легирования с использованием рентгеноструктурного анализа, фотолюминесценции, электрохимического вольт-емкостного профилирования.
Изготовление по дизайну заказчика.