Возможности по изготовлению гетероструктур

Технология изготовления: молекулярно-пучковая эпитаксия на подложках GaAs и InP.

Область применения: различные устройства фотоники, включая лазеры с торцевым выводом излучения, вертикально-излучающие лазеры, p-i-n фотодиоды и др.

Диагностика параметров гетероструктур (анализ поверхностной плотности дефектов, карты фотолюминесценции).

Точная калибровка состава эпитаксиальных слоев, толщины и уровня легирования с использованием рентгеноструктурного анализа, фотолюминесценции, электрохимического вольт-емкостного профилирования.

Изготовление по дизайну заказчика.

Адрес

РФ, 194292, г. Санкт-Петербург,
ул. Домостроительная, д. 16, литер Б